Gamme de fréquences (F0)

1 MHz ~ 200 MHz

Type de diffusion

CMOS/HCOMS/LVCMOS

Tension d'alimentation (VDD) Fonctionnement recommandé

1,8 V, 2,5 V, 2,8 V, 3,3 V, 5,0 V ± 10 %

Plage de température de fonctionnement

-40°C~+85°C, -40°C~+125°C ou préciser

Stabilité de fréquence en fonction de la température

±20 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm, ou spécifier

CMOS

VOL (Maximum)

0,18 V, 0,25 V, 0,28 V, 0,33 V, 0,5 V

VOH (Min.)

1,62 V, 2,25 V, 2,52 V, 2,97 V, 4,5 V

Plage de température de stockage

-55°C~+125°C

Courant d'entrée

3,3 V

1,544Mhz~32Mhz 35mA(15pF)

32Mhz~85Mhz 45mA(15pF)

85Mhz~200Mhz 60mA(15pF)

1,544Mhz~32Mhz 35mA(15pF)/45mA(30pF)

32Mhz~85Mhz 50mA(15pF)/60mA(30pF)

85Mhz~200Mhz 70mA(15pF)

5,0 V

Symétrie (cycle de service)

40 % ~ 60 % ; 45%~55%

Montée/temps plein (à 0,2 VDD ~ 0,8 VDD)

10ns maximum

Capacité de charge

15pF/30pF/50pF

Heure de démarrage (typique)

10 ms maximum (15pF)

Fonction E/D

PIN #1 ouvert ou Vhigh≥0.7VDD

NIP n°3 actif

PIN #1 Vlow≥0.3VDD

Hautez

Vieillissement @25°C 1ère année (Max)

±1 ppm/an, ±3 ppm/an, ±5 ppm/an

En plus des paramètres répertoriés dans le tableau, il peut être conçu en fonction des besoins du client